描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *电阻 - rds（开）:40 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *电阻 - rds（开）:18pF @ 10V *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:175mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 500pA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *电阻 - rds（开）:40 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 0.5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:18pF @ 10V *电阻 - rds（开）:60 Ohms *功率 - 最大值:360mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:90mA @ 18V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:10V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *电阻 - rds（开）:75 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18（TO-206AA） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:N CHANNEL JFET *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:27pF @ 15V *电阻 - rds（开）:175 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-18 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:3000 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:3000 每包的数量:1

描述: *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:1

描述:JFET -25V, 20 TO 40MA DUA *fet 类型:2 N-通道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 5V *电阻 - rds（开）:78 mOhms *功率 - 最大值:700mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标签: 包装:- 数量:- 每包的数量:0