描述:MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:23.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:400W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:STAC177B 供应商器件封装:STAC177B 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET HEMT 150V 14.5DB SOT1227B 晶体管类型:GaN HEMT *频率:3GHz ~ 3.5GHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT-1227B 供应商器件封装:SOT-1227B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B 晶体管类型:LDMOS *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.8A *功率 - 输出:55W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1239B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C 晶体管类型:LDMOS *频率:871.5MHz ~ 891.5MHz *增益:19.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *功率 - 输出:67W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1244C 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 17.7DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:17.7dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2.4A *功率 - 输出:80W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSF RF N CH 130V 40A STAC177B 晶体管类型:N 通道 *频率:30MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:40A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:350W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:STAC177B 供应商器件封装:STAC177B 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 20.5DB SOT539B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:760.5MHz ~ 800.5MHz *增益:20.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:2A *功率 - 输出:65W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT539B 供应商器件封装:SOT539B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.93GHz ~ 1.99GHz *增益:17dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:650mA *功率 - 输出:56W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1258-3 供应商器件封装:DFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:RF FET LDMOS 65V 15DB SOT1121B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:3.4GHz ~ 3.6GHz *增益:15dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:600mA *功率 - 输出:20W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:2.5GHz ~ 2.69GHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:56W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1252-1 供应商器件封装:SOT1252-1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 135V 28DB SOT1121B 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:108MHz *增益:28dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:350W *电压 - 额定:135V 封装/外壳:SOT-1121B 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:705MHz *增益:20.6dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.93GHz ~ 1.99GHz *增益:17dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:650mA *功率 - 输出:56W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1258-3 供应商器件封装:DFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166 晶体管类型:HEMT *频率:5.5GHz ~ 5.8GHz *增益:10dB *电压 - 测试:28V *额定电流:3A 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:440166 供应商器件封装:440166 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:2.45GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:140W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IC TRANS RF LDMOS 晶体管类型:LDMOS（双） *频率:2.3GHz *增益:14.9dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:750mA *功率 - 输出:66W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:NI-1230-4LS2L 供应商器件封装:NI-1230-4LS2L 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:718.5MHz ~ 725.5MHz *增益:20.6dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:3.4A *功率 - 输出:95W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1242C 供应商器件封装:CDFM8 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242C 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:3.4A *功率 - 输出:95W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1242C 供应商器件封装:CDFM8 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:718.5MHz ~ 725.5MHz *增益:20.6dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:3.4A *功率 - 输出:95W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1242C 供应商器件封装:CDFM8 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET HEMT 150V 13DB SOT1227A 晶体管类型:GaN HEMT *频率:3GHz ~ 3.5GHz *增益:13dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:70mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT-1227A 供应商器件封装:SOT-1227A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 100V 21DB SOT467C 晶体管类型:LDMOS *频率:1.2GHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:50mA *功率 - 输出:25W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12583 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *功率 - 输出:85W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1258-3 供应商器件封装:DFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET HEMT 150V 11.5DB SOT467C 晶体管类型:GaN HEMT *频率:3GHz *增益:11.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:50W *电压 - 额定:150V 封装/外壳:SOT467C 供应商器件封装:SOT467C 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:FET RF 2CH 133V 230MHZ NI1230 晶体管类型:LDMOS（双） *频率:230MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:600W *电压 - 额定:133V 封装/外壳:SOT-979A 供应商器件封装:NI-1230-4H 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E 晶体管类型:LDMOS *频率:1.3GHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:250W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-1121E 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1