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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
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![]() |
BLF573S,112
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-502B | SOT502B |
描述:RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
晶体管类型:LDMOS
*频率:225MHz
*增益:27.2dB
*电压 - 测试:50V
*额定电流:42A
噪声系数:-
电流 - 测试:900mA
*功率 - 输出:300W
*电压 - 额定:110V
封装/外壳:SOT-502B
供应商器件封装:SOT502B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF871S,112
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT467B | LDMOST |
描述:RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B
晶体管类型:LDMOS
*频率:860MHz
*增益:19dB
*电压 - 测试:40V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:500mA
*功率 - 输出:100W
*电压 - 额定:89V
封装/外壳:SOT467B
供应商器件封装:LDMOST
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
![]() |
BLF879P,112
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT539A | SOT539A |
描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:860MHz
*增益:21dB
*电压 - 测试:42V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:200W
*电压 - 额定:104V
封装/外壳:SOT539A
供应商器件封装:SOT539A
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
![]() |
BLA6G1011LS-200RG,
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-502C | LDMOST |
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C
晶体管类型:LDMOS
*频率:1.03GHz ~ 1.09GHz
*增益:20dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:49A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:200W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-502C
供应商器件封装:LDMOST
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
PD57018-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10 裸露底部焊盘 | 10-POWERSO |
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10
晶体管类型:LDMOS
*频率:945MHz
*增益:16.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:2.5A
噪声系数:-
电流 - 测试:100mA
*功率 - 输出:18W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装:10-POWERSO
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
LET9045S
Datasheet 规格书
ROHS
托盘
|
STMicroelectronics | POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线) | POWERSO-10RF(直引线) |
描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
晶体管类型:LDMOS
*频率:960MHz
*增益:17.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:9A
噪声系数:-
电流 - 测试:300mA
*功率 - 输出:59W
*电压 - 额定:80V
封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线)
供应商器件封装:POWERSO-10RF(直引线)
标签:
包装:托盘
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
LET9045
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) | POWERSO-10RF(成形引线) |
描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A
晶体管类型:LDMOS
*频率:960MHz
*增益:17.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:9A
噪声系数:-
电流 - 测试:300mA
*功率 - 输出:59W
*电压 - 额定:80V
封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLC8G27LS-100AVY
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT1275-1 | 6-DFM |
描述:RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:2.5GHz ~ 2.69GHz
*增益:15.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:250mA
*功率 - 输出:17.8W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT1275-1
供应商器件封装:6-DFM
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF9G20LS-160VJ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1120B | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
晶体管类型:LDMOS
*频率:1.81GHz ~ 1.88GHz
*增益:19.8dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:800mA
*功率 - 输出:35.5W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1120B
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF8G27LS-140V,118
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1120B | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.63GHz ~ 2.69GHz
*增益:17.4dB
*电压 - 测试:32V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:45W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1120B
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
![]() |
CGH60030D
Datasheet 规格书
ROHS
*
|
Cree/Wolfspeed |
描述:CREE RF
晶体管类型:-
*频率:-
*增益:-
*电压 - 测试:-
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:-
*功率 - 输出:-
*电压 - 额定:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:*
数量:
每包的数量:1
|
||
![]() |
BLF8G27LS-150GVJ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1244C | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.6GHz ~ 2.7GHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:45W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1244C
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLC8G27LS-100AVZ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT1275-1 | 6-DFM |
描述:RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:2.5GHz ~ 2.69GHz
*增益:15.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:250mA
*功率 - 输出:17.8W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT1275-1
供应商器件封装:6-DFM
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF8G24LS-150GVJ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1244C | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.3GHz ~ 2.4GHz
*增益:19dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:45W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1244C
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
LET20030C
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M243 | M243 |
描述:FET RF 80V 2GHZ M243
晶体管类型:LDMOS
*频率:2GHz
*增益:13.9dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:9A
噪声系数:-
电流 - 测试:400mA
*功率 - 输出:45W
*电压 - 额定:80V
封装/外壳:M243
供应商器件封装:M243
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF9G20LS-160VU
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1120B | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
晶体管类型:LDMOS
*频率:1.81GHz ~ 1.88GHz
*增益:19.8dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:800mA
*功率 - 输出:35.5W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1120B
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF8G27LS-140V,112
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1120B | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.63GHz ~ 2.69GHz
*增益:17.4dB
*电压 - 测试:32V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:45W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1120B
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
![]() |
BLF8G20LS-230VJ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1239B | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B
晶体管类型:LDMOS
*频率:1.81GHz ~ 1.88GHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.8A
*功率 - 输出:55W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1239B
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF8G27LS-150GVQ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1244C | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.6GHz ~ 2.7GHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.3A
*功率 - 输出:45W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1244C
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLC8G27LS-140AVZ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT1275-1 | 6-DFM |
描述:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:2.5GHz ~ 2.69GHz
*增益:14.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:320mA
*功率 - 输出:28W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT1275-1
供应商器件封装:6-DFM
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLC8G27LS-180AVY
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT1275-3 | 6-DFM |
描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
晶体管类型:LDMOS(双),共源
*频率:2.5GHz ~ 2.69GHz
*增益:14dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:200mA
*功率 - 输出:28W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT1275-3
供应商器件封装:6-DFM
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
![]() |
BLF8G22LS-205VJ
Datasheet 规格书
ROHS
|
Ampleon USA Inc. | SOT-1239B | CDFM6 |
描述:RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
晶体管类型:LDMOS
*频率:2.11GHz ~ 2.17GHz
*增益:18.3dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:1.2A
*功率 - 输出:50.1W
*电压 - 额定:65V
封装/外壳:SOT-1239B
供应商器件封装:CDFM6
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
LET9060F
Datasheet 规格书
ROHS
|
STMicroelectronics | M250 | M250 |
描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-250
晶体管类型:LDMOS
*频率:945MHz
*增益:18dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:12A
噪声系数:-
电流 - 测试:400mA
*功率 - 输出:75W
*电压 - 额定:80V
封装/外壳:M250
供应商器件封装:M250
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CGH27030F
Datasheet 规格书
ROHS
|
Cree/Wolfspeed |
描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166
晶体管类型:HEMT
*频率:3GHz
*增益:14.5dB
*电压 - 测试:28V
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:150mA
*功率 - 输出:30W
*电压 - 额定:84V
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
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![]() |
CGH80030D
Datasheet 规格书
ROHS
*
|
Cree/Wolfspeed |
描述:CREE RF
晶体管类型:-
*频率:-
*增益:-
*电压 - 测试:-
*额定电流:-
噪声系数:-
电流 - 测试:-
*功率 - 输出:-
*电压 - 额定:-
封装/外壳:-
供应商器件封装:-
标签:
包装:*
数量:
每包的数量:1
|