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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 频率 增益 电压 - 测试 电压 - 额定 额定电流 噪声系数 功率 - 输出 包装
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共 3308 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BLF573S,112
10+: 1150.8734 100+: 1130.3221 1000+: 1120.0464 3000+: 1089.2194
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Ampleon USA Inc. SOT-502B SOT502B
描述:RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B 晶体管类型:LDMOS *频率:225MHz *增益:27.2dB *电压 - 测试:50V *额定电流:42A 噪声系数:- 电流 - 测试:900mA *功率 - 输出:300W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-502B 供应商器件封装:SOT502B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF871S,112
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Ampleon USA Inc. SOT467B LDMOST
描述:RF FET LDMOS 89V 19DB SOT467B 晶体管类型:LDMOS *频率:860MHz *增益:19dB *电压 - 测试:40V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:500mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:89V 封装/外壳:SOT467B 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
BLF879P,112
10+: 1.2656 100+: 1.2430 1000+: 1.2317 3000+: 1.1978
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Ampleon USA Inc. SOT539A SOT539A
描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:860MHz *增益:21dB *电压 - 测试:42V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
BLA6G1011LS-200RG,
10+: 2.5312 100+: 2.4860 1000+: 2.4634 3000+: 2.3956
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Ampleon USA Inc. SOT-502C LDMOST
描述:RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502C 晶体管类型:LDMOS *频率:1.03GHz ~ 1.09GHz *增益:20dB *电压 - 测试:28V *额定电流:49A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-502C 供应商器件封装:LDMOST 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD57018-E
10+: 243.8558 100+: 239.5012 1000+: 237.3240 3000+: 230.7921
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STMicroelectronics POWERSO-10 裸露底部焊盘 10-POWERSO
描述:FET RF 65V 945MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:16.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:2.5A 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:18W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
LET9045S
托盘
10+: 63.6976 100+: 62.5602 1000+: 61.9915 3000+: 60.2853
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STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线) POWERSO-10RF(直引线)
描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:17.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:59W *电压 - 额定:80V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条直引线) 供应商器件封装:POWERSO-10RF(直引线) 标签: 包装:托盘 数量: 每包的数量:1
LET9045
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) POWERSO-10RF(成形引线)
描述:TRANSISTOR RF POWER N-CH 80V 9A 晶体管类型:LDMOS *频率:960MHz *增益:17.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:59W *电压 - 额定:80V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线) 供应商器件封装:POWERSO-10RF(成形引线) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLC8G27LS-100AVY
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT1275-1 6-DFM
描述:RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.5GHz ~ 2.69GHz *增益:15.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:17.8W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT1275-1 供应商器件封装:6-DFM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF9G20LS-160VJ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1120B CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B 晶体管类型:LDMOS *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:19.8dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *功率 - 输出:35.5W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF8G27LS-140V,118
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1120B CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B 晶体管类型:LDMOS *频率:2.63GHz ~ 2.69GHz *增益:17.4dB *电压 - 测试:32V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:45W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
CGH60030D
*
10+: 95.0972 100+: 93.3990 1000+: 92.5499 3000+: 90.0027
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Cree/Wolfspeed
描述:CREE RF 晶体管类型:- *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:* 数量: 每包的数量:1
BLF8G27LS-150GVJ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1244C CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C 晶体管类型:LDMOS *频率:2.6GHz ~ 2.7GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:45W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1244C 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLC8G27LS-100AVZ
10+: 735.4655 100+: 722.3322 1000+: 715.7655 3000+: 696.0655
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Ampleon USA Inc. SOT1275-1 6-DFM
描述:RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.5GHz ~ 2.69GHz *增益:15.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:250mA *功率 - 输出:17.8W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT1275-1 供应商器件封装:6-DFM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF8G24LS-150GVJ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1244C CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C 晶体管类型:LDMOS *频率:2.3GHz ~ 2.4GHz *增益:19dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:45W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1244C 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
LET20030C
10+: 783.3811 100+: 769.3921 1000+: 762.3977 3000+: 741.4142
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STMicroelectronics M243 M243
描述:FET RF 80V 2GHZ M243 晶体管类型:LDMOS *频率:2GHz *增益:13.9dB *电压 - 测试:28V *额定电流:9A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *功率 - 输出:45W *电压 - 额定:80V 封装/外壳:M243 供应商器件封装:M243 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF9G20LS-160VU
10+: 748.0076 100+: 734.6503 1000+: 727.9717 3000+: 707.9357
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Ampleon USA Inc. SOT-1120B CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B 晶体管类型:LDMOS *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:19.8dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:800mA *功率 - 输出:35.5W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF8G27LS-140V,112
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1120B CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B 晶体管类型:LDMOS *频率:2.63GHz ~ 2.69GHz *增益:17.4dB *电压 - 测试:32V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:45W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1120B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
BLF8G20LS-230VJ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. SOT-1239B CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1239B 晶体管类型:LDMOS *频率:1.81GHz ~ 1.88GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.8A *功率 - 输出:55W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1239B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF8G27LS-150GVQ
10+: 748.0076 100+: 734.6503 1000+: 727.9717 3000+: 707.9357
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Ampleon USA Inc. SOT-1244C CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C 晶体管类型:LDMOS *频率:2.6GHz ~ 2.7GHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:45W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1244C 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLC8G27LS-140AVZ
10+: 748.0076 100+: 734.6503 1000+: 727.9717 3000+: 707.9357
我要买
Ampleon USA Inc. SOT1275-1 6-DFM
描述:RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.5GHz ~ 2.69GHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:320mA *功率 - 输出:28W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT1275-1 供应商器件封装:6-DFM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLC8G27LS-180AVY
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Ampleon USA Inc. SOT1275-3 6-DFM
描述:RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 晶体管类型:LDMOS(双),共源 *频率:2.5GHz ~ 2.69GHz *增益:14dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:28W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT1275-3 供应商器件封装:6-DFM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF8G22LS-205VJ
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Ampleon USA Inc. SOT-1239B CDFM6
描述:RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B 晶体管类型:LDMOS *频率:2.11GHz ~ 2.17GHz *增益:18.3dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.2A *功率 - 输出:50.1W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:SOT-1239B 供应商器件封装:CDFM6 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
LET9060F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics M250 M250
描述:MOSFET N-CH 80V 12A M-250 晶体管类型:LDMOS *频率:945MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *功率 - 输出:75W *电压 - 额定:80V 封装/外壳:M250 供应商器件封装:M250 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGH27030F
10+: 906.1443 100+: 889.9631 1000+: 881.8726 3000+: 857.6008
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Cree/Wolfspeed
描述:RF MOSFET HEMT 28V 440166 晶体管类型:HEMT *频率:3GHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:30W *电压 - 额定:84V 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGH80030D
*
10+: 124.1427 100+: 121.9259 1000+: 120.8175 3000+: 117.4922
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Cree/Wolfspeed
描述:CREE RF 晶体管类型:- *频率:- *增益:- *电压 - 测试:- *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:- *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 封装/外壳:- 供应商器件封装:- 标签: 包装:* 数量: 每包的数量:1
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