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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 晶体管类型 频率 增益 电压 - 测试 电压 - 额定 额定电流 噪声系数 功率 - 输出 包装
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图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
BLF574XR,112
10+: ￥1.2656 100+: ￥1.2430 1000+: ￥1.2317 3000+: ￥1.1978
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Ampleon USA Inc. SOT-1214A SOT1214A
描述:RF FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:225MHz *增益:23.5dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:600W *电压 - 额定:110V 封装/外壳:SOT-1214A 供应商器件封装:SOT1214A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SD56120
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics M246 M246
描述:FET RF 65V 860MHZ M246 晶体管类型:LDMOS *频率:860MHz *增益:16dB *电压 - 测试:28V *额定电流:14A 噪声系数:- 电流 - 测试:400mA *功率 - 输出:100W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:M246 供应商器件封装:M246 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRFE6VP5600HR5
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP NI-1230 NI-1230
描述:FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 晶体管类型:LDMOS（双） *频率:230MHz *增益:25dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:600W *电压 - 额定:130V 封装/外壳:NI-1230 供应商器件封装:NI-1230 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLF6G13L-250P,112
10+: ￥1.2656 100+: ￥1.2430 1000+: ￥1.2317 3000+: ￥1.1978
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Ampleon USA Inc. SOT-1121A CDFM4
描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121A 晶体管类型:LDMOS *频率:1.3GHz *增益:17dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:100mA *功率 - 输出:250W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:SOT-1121A 供应商器件封装:CDFM4 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CGHV22200F
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Cree/Wolfspeed 440162 440162
描述:RF MOSFET HEMT 50V 440162 晶体管类型:HEMT *频率:1.8GHz ~ 2.2GHz *增益:18dB *电压 - 测试:50V *额定电流:12A 噪声系数:- 电流 - 测试:1A *功率 - 输出:200W *电压 - 额定:125V 封装/外壳:440162 供应商器件封装:440162 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
BLF888DU
10+: ￥1.2656 100+: ￥1.2430 1000+: ￥1.2317 3000+: ￥1.1978
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Ampleon USA Inc. SOT539A SOT539A
描述:RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A 晶体管类型:LDMOS *频率:860MHz *增益:21dB *电压 - 测试:50V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:1.3A *功率 - 输出:250W *电压 - 额定:104V 封装/外壳:SOT539A 供应商器件封装:SOT539A 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BF2040 E6814
带卷（TR）
10+: ￥0.1266 100+: ￥0.1243 1000+: ￥0.1232 3000+: ￥0.1198
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Infineon Technologies TO-253-4，TO-253AA PG-SOT143-4
描述:MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143 晶体管类型:N 通道 *频率:800MHz *增益:23dB *电压 - 测试:5V *额定电流:40mA 噪声系数:1.6dB 电流 - 测试:15mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:8V 封装/外壳:TO-253-4，TO-253AA 供应商器件封装:PG-SOT143-4 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
3SK294(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-82A，SOT-343 USQ
描述:FET RF 12.5V 500MHZ USQ 晶体管类型:N 通道 *频率:500MHz *增益:26dB *电压 - 测试:6V *额定电流:30mA 噪声系数:1.4dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:USQ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
3SK291(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-61AA SMQ
描述:MOSFET N-CH SMQ 晶体管类型:N 通道双门 *频率:800MHz *增益:22.5dB *电压 - 测试:6V *额定电流:30mA 噪声系数:2.5dB 电流 - 测试:10mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:12.5V 封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SMQ 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK3557-7-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 3-CP
描述:RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:5V *额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK209-Y(TE85L,F)
带卷（TR）
10+: ￥0.2025 100+: ￥0.1989 1000+: ￥0.1971 3000+: ￥0.1916
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Toshiba Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SC-59
描述:MOSFET N-CH S-MINI FET 晶体管类型:N 通道 JFET *频率:1kHz *增益:- *电压 - 测试:10V *额定电流:- 噪声系数:1dB 电流 - 测试:500µA *功率 - 输出:- *电压 - 额定:- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1
ATF-531P8-BLK
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited 8-WFDFN 裸露焊盘 8-LPCC（2X2）
描述:FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:20dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.6dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:24.5dBm *电压 - 额定:7V 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-LPCC（2X2） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
ATF-53189-BLK
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited TO-243AA SOT-89-3
描述:IC PHEMT 2GHZ 4V 135MA SOT-89 晶体管类型:E-pHEMT *频率:900MHz *增益:17.2dB *电压 - 测试:4V *额定电流:300mA 噪声系数:0.8dB 电流 - 测试:135mA *功率 - 输出:21.7dBm *电压 - 额定:7V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
PD84006L-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics 8-POWERVDFN POWERFLAT™（5X5）
描述:FET RF 25V 870MHZ 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:15dB *电压 - 测试:7.5V *额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:25V 封装/外壳:8-POWERVDFN 供应商器件封装:POWERFLAT™（5X5） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
ATF-52189-BLK
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Broadcom Limited TO-243AA SOT-89
描述:FET RF 7V 2GHZ SOT89 晶体管类型:E-pHEMT *频率:2GHz *增益:16dB *电压 - 测试:4.5V *额定电流:500mA 噪声系数:1.5dB 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:27dBm *电压 - 额定:7V 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
BLP8G27-10Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. 16-VDFN 裸焊盘 16-HVSON（4X6）
描述:RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:2.14GHz *增益:17dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘 供应商器件封装:16-HVSON（4X6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD55008-E
10+: ￥134.7105 100+: ￥132.3049 1000+: ￥131.1021 3000+: ￥127.4938
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STMicroelectronics POWERSO-10 裸露底部焊盘 10-POWERSO
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:17dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:4A 噪声系数:- 电流 - 测试:150mA *功率 - 输出:8W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF6S20010GNR1
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Freescale Semiconductor - NXP TO-270-2 鸥翼型 TO-270-2 鸥翼型
描述:RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 GULL 晶体管类型:LDMOS *频率:2.17GHz *增益:15.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:130mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:68V 封装/外壳:TO-270-2 鸥翼型 供应商器件封装:TO-270-2 鸥翼型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD85025TR-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） POWERSO-10RF（成形引线）
描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17.3dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:300mA *功率 - 输出:10W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） 供应商器件封装:POWERSO-10RF（成形引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BLP27M810Z
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Ampleon USA Inc. 16-VDFN 裸焊盘 16-HVSON（4X6）
描述:RF FET LDMOS 65V 17DB 16VDFN 晶体管类型:LDMOS（双），共源 *频率:2.14GHz *增益:17dB *电压 - 测试:28V *额定电流:- 噪声系数:- 电流 - 测试:110mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:16-VDFN 裸焊盘 供应商器件封装:16-HVSON（4X6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD55025-E
10+: ￥238.2239 100+: ￥233.9699 1000+: ￥231.8429 3000+: ￥225.4619
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STMicroelectronics POWERSO-10 裸露底部焊盘 10-POWERSO
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:25W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:10-POWERSO 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD55025S-E
10+: ￥278.3687 100+: ￥273.3979 1000+: ￥270.9124 3000+: ￥263.4561
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STMicroelectronics POWERSO-10 裸露底部焊盘 POWERSO-10RF（直引线）
描述:FET RF 40V 500MHZ PWRSO10 晶体管类型:LDMOS *频率:500MHz *增益:14.5dB *电压 - 测试:12.5V *额定电流:7A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:25W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10 裸露底部焊盘 供应商器件封装:POWERSO-10RF（直引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MRF158
10+: ￥281.5580 100+: ￥276.5302 1000+: ￥274.0163 3000+: ￥266.4746
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M/A-Com Technology Solutions 305A-01 305A-01，2 型
描述:FET RF 65V 500MHZ 305A-01 晶体管类型:N 通道 *频率:500MHz *增益:18dB *电压 - 测试:28V *额定电流:500mA 噪声系数:- 电流 - 测试:25mA *功率 - 输出:2W *电压 - 额定:65V 封装/外壳:305A-01 供应商器件封装:305A-01，2 型 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PD85035-E
10+: ￥247.6526 100+: ￥243.2302 1000+: ￥241.0191 3000+: ￥234.3855
我要买
STMicroelectronics POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） POWERSO-10RF（成形引线）
描述:FET RF 40V 870MHZ 晶体管类型:LDMOS *频率:870MHz *增益:17dB *电压 - 测试:13.6V *额定电流:8A 噪声系数:- 电流 - 测试:350mA *功率 - 输出:15W *电压 - 额定:40V 封装/外壳:POWERSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线） 供应商器件封装:POWERSO-10RF（成形引线） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NPT35015
管件
10+: ￥63.9001 100+: ￥62.7591 1000+: ￥62.1885 3000+: ￥60.4769
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M/A-Com Technology Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90MM 宽）裸焊盘 8-SOIC
描述:HEMT N-CH 28V 18W 3300-3800MHZ 晶体管类型:HEMT *频率:3.3GHz ~ 3.8GHz *增益:10.5dB *电压 - 测试:28V *额定电流:5A 噪声系数:- 电流 - 测试:200mA *功率 - 输出:1.7W *电压 - 额定:100V 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90MM 宽）裸焊盘 供应商器件封装:8-SOIC 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1
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