描述:JFET N-CH 25V 350MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:7pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:25mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:14pF @ 20V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:50 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒（TB） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:200µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:8mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:125 Ohms *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8.2pF @ 10V *电阻 - rds（开）:8.2pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:USM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:40 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V SC-75 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.3V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:1.7pF @ 10V *电阻 - rds（开）:1.7pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 350MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:1mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:7pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.225W SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:80µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC JFET N-CH 40V XDFN3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50µA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:0.7pF @ 10V *电阻 - rds（开）:0.7pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-101，SOT-883 供应商器件封装:SOT-883（XDFN3）（1X0.6） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.1W SOT-883 XDFN3 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:180mV @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-XFDFN 供应商器件封装:SOT-883（XDFN3）（1X0.6） 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.35W SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 欧姆 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:8mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:8mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:80 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:15mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 20V *电阻 - rds（开）:50 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET P-CH 40V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:7pF @ 15V *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:12 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 0.35W SUPERSOT-23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:30pF @ 10V（VGS） *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SUPERSOT-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 350MW SSOT3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:80mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:80mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:8 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SUPERSOT-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *电阻 - rds（开）:4pF @ 10V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 10V *电阻 - rds（开）:4pF @ 10V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25V 漏极电流（id） - 最大值:100mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:8 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1