描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:25 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:50V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2.6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV *fet 类型:2 N-通道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74A，SOT-753 供应商器件封装:SMV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET DUAL N-CH USV *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 *fet 类型:2 N-通道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:2 N-通道（双） *漏源极电压（vdss）:2 N-通道（双） *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:10mA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:10.5pF @ 5V *电阻 - rds（开）:10.5pF @ 5V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD，扁平引线 供应商器件封装:5-MCPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:IC JFET P-CH SOT23-3 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:7mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:125 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236，SC-59，SOT-23-3 变式，3-SMD 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:IC JFET P-CH SOT23-3 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:2mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:2mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:250 Ohms *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.625W TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:50mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 欧姆 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 10MA SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *电阻 - rds（开）:4.5pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.625W TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 1=20PCS *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:100 Ohms 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:20V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:107µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2mA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C（TA） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:55V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6.5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:6.5pF @ 10V *功率 - 最大值:125mW 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:55V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:6pF @ 10V *电阻 - rds（开）:6pF @ 10V *功率 - 最大值:125mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:30 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:30V 漏极电流（id） - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:8pF @ 10V（VGS） *电阻 - rds（开）:85 Ohms *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23（TO-236AB） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:10mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:10mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:18 Ohms *功率 - 最大值:460mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SUPERSOT-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET DUAL N-CH USV *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:1.2mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:1.2mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 10V *电阻 - rds（开）:13pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:200mW 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 供应商器件封装:USV 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 欧姆 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:TRANS JFET NCH 1=20PCS *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 20V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:6V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:4pF @ 15V *功率 - 最大值:4pF @ 15V 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:模具 供应商器件封装:模具 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 0.1W VTFP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:140µA @ 5V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:200mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.5pF @ 5V *电阻 - rds（开）:3.5pF @ 5V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:3-VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 0.1W 3VTFP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:210µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *电阻 - rds（开）:3.1pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:3-VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET N-CH 1MA 100MW VTFP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:N 通道 *漏源极电压（vdss）:N 通道 *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:140µA @ 2V 漏极电流（id） - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3.1pF @ 2V *电阻 - rds（开）:3.1pF @ 2V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD，扁平引线 供应商器件封装:3-VTFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0