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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
2SK3796-3-TL-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SC-75,SOT-416 | SMCP |
描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.2mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:10mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V
*电阻 - rds(开):200 Ohms
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:SMCP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK208-GR(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Toshiba Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SC-59 |
描述:MOSFET N-CH S-MINI FET
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2.6mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:125°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SC-59
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK208-R(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | S-MINI |
描述:JFET N-CH 50V S-MINI
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):50V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):300µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:6.5mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V
*电阻 - rds(开):8.2pF @ 10V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:S-MINI
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK208-Y(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Toshiba Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | S-MINI |
描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.2mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:125°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:S-MINI
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK932-22-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7.3mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 100¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
DSK5J01P0L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SC-85 | SMINI3-F2-B |
描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):55V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:30mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ 10µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 10V
*电阻 - rds(开):6pF @ 10V
*功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-85
供应商器件封装:SMINI3-F2-B
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CPH3910-TL-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CPH |
描述:JFET N-CH 25V .04A CPH3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):25V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.8V @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 5V
*电阻 - rds(开):6pF @ 5V
*功率 - 最大值:400mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CPH
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK879-GR(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-70,SOT-323 | USM |
描述:JFET N-CH 0.1W USM
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2.6mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:2.6mA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V
*电阻 - rds(开):8.2pF @ 10V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:USM
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK932-24-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):14.5mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBFJ175LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):125 Ohms
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK880-BL(TE85L,F)
Datasheet 规格书
ROHS
|
Toshiba Semiconductor | SC-70,SOT-323 | SC-70 |
描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):50V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):6mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:6mA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.5V @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):13pF @ 10V
*电阻 - rds(开):13pF @ 10V
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:SC-70
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BFT46,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):25V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:10mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.2V @ .5nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 10V
*电阻 - rds(开):5pF @ 10V
*功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
DSK5J01Q0L
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Panasonic Electronic Components | SC-85 | SMINI3-F2-B |
描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):55V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:30mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ 10¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 10V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-85
供应商器件封装:SMINI3-F2-B
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK3666-2-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET NCH 30V 200MW 3CP
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:-
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MCH3914-7-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 3-SMD,扁平引线 | SC-70FL/MCPH3 |
描述:JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):16mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 10µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4.9pF @ 5V
*电阻 - rds(开):4.9pF @ 5V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK11030QL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 迷你型3-G1 |
描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):600µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:20mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.5V @ 10µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 10V
*电阻 - rds(开):300 Ohms
*功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:迷你型3-G1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK34260TL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | SOT-723 | SSS迷你型3-F1 |
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):20V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):107µA @ 2V
漏极电流(id) - 最大值:2mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2mA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:-20°C ~ 80°C(TA)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:SSS迷你型3-F1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK275100L
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 迷你型3-G1 |
描述:JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.4µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:10mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3.5V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 10V
*电阻 - rds(开):5pF @ 10V
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:迷你型3-G1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK01980RL
Datasheet 规格书
ROHS
|
Panasonic Electronic Components | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 迷你型3-G1 |
描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):500µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:20mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):100mV @ 10µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 10V
*电阻 - rds(开):14pF @ 10V
*功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:迷你型3-G1
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK33720TL
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Panasonic Electronic Components | SOT-723 | SSS迷你型3-F1 |
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):20V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):107¦ÌA @ 2
漏极电流(id) - 最大值:2mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:-20°C ~ 80°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:SSS迷你型3-F1
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK33720UL
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Panasonic Electronic Components | SOT-723 | SSS迷你型3-F1 |
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):20V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):107¦ÌA @ 2
漏极电流(id) - 最大值:2mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:-20°C ~ 80°C(TA)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:SSS迷你型3-F1
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
J111_D74Z
Datasheet 规格书
ROHS
带盒(TB)
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):30 欧姆
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:带盒(TB)
数量:
每包的数量:1
|
|
J112_D27Z
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):50 欧姆
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBFJ177
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:1.5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):300 Ohms
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BSR56
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:50mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ .5nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):25 Ohms
*功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|