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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
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共 649 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
2SK3796-3-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SMCP
描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V *电阻 - rds(开):200 Ohms *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK208-GR(TE85L,F)
带卷(TR)
10+: 0.1645 100+: 0.1616 1000+: 0.1601 3000+: 0.1557
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Toshiba Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
描述:MOSFET N-CH S-MINI FET *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
2SK208-R(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 S-MINI
描述:JFET N-CH 50V S-MINI *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):50V *漏源极电压(vdss):50V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):300µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:6.5mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V *电阻 - rds(开):8.2pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-MINI 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK208-Y(TE85L,F)
带卷(TR)
10+: 0.1645 100+: 0.1616 1000+: 0.1601 3000+: 0.1557
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Toshiba Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 S-MINI
描述:MOSFET N-CH 50V S-MINI *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.2mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:S-MINI 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
2SK932-22-TB-E
带卷(TR)
10+: 0.1772 100+: 0.1740 1000+: 0.1724 3000+: 0.1677
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7.3mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 100¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
DSK5J01P0L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SC-85 SMINI3-F2-B
描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):55V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 10V *电阻 - rds(开):6pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:SMINI3-F2-B 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CPH3910-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CPH
描述:JFET N-CH 25V .04A CPH3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):25V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.8V @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 5V *电阻 - rds(开):6pF @ 5V *功率 - 最大值:400mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK879-GR(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70,SOT-323 USM
描述:JFET N-CH 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2.6mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:2.6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):400mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):8.2pF @ 10V *电阻 - rds(开):8.2pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:USM 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK932-24-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):14.5mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):200mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ175LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):125 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK880-BL(TE85L,F)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Toshiba Semiconductor SC-70,SOT-323 SC-70
描述:JFET N-CH 50V 0.1W USM *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):50V *漏源极电压(vdss):50V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):6mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.5V @ 100nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):13pF @ 10V *电阻 - rds(开):13pF @ 10V *功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BFT46,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):25V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.2V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 10V *电阻 - rds(开):5pF @ 10V *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
DSK5J01Q0L
带卷(TR)
10+: 0.1772 100+: 0.1740 1000+: 0.1724 3000+: 0.1677
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Panasonic Electronic Components SC-85 SMINI3-F2-B
描述:JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):55V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ 10¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 10V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-85 供应商器件封装:SMINI3-F2-B 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
2SK3666-2-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET NCH 30V 200MW 3CP *fet 类型:- *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):- 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MCH3914-7-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 SC-70FL/MCPH3
描述:JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):16mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 10µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4.9pF @ 5V *电阻 - rds(开):4.9pF @ 5V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:SC-70FL/MCPH3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK11030QL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 迷你型3-G1
描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.5V @ 10µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 10V *电阻 - rds(开):300 Ohms *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK34260TL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Panasonic Electronic Components SOT-723 SSS迷你型3-F1
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):20V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):107µA @ 2V 漏极电流(id) - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2mA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK275100L
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 迷你型3-G1
描述:JFET N-CH 10MA 200MW MINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.4µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 10V *电阻 - rds(开):5pF @ 10V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK01980RL
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 迷你型3-G1
描述:JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):500µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:20mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):100mV @ 10µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 10V *电阻 - rds(开):14pF @ 10V *功率 - 最大值:150mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:迷你型3-G1 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK33720TL
带卷(TR)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components SOT-723 SSS迷你型3-F1
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):20V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):107¦ÌA @ 2 漏极电流(id) - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
2SK33720UL
带卷(TR)
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Panasonic Electronic Components SOT-723 SSS迷你型3-F1
描述:JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):- *漏源极电压(vdss):20V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):107¦ÌA @ 2 漏极电流(id) - 最大值:2mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):- 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:100mW 工作温度:-20°C ~ 80°C(TA) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
J111_D74Z
带盒(TB)
10+: 0.1012 100+: 0.0994 1000+: 0.0985 3000+: 0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):30 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带盒(TB) 数量: 每包的数量:1
J112_D27Z
带卷(TR)
10+: 0.1012 100+: 0.0994 1000+: 0.0985 3000+: 0.0958
我要买
Fairchild Semiconductor TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) TO-92-3
描述:JFET N-CH 35V 625MW TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):35V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):50 欧姆 *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引线) 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
MMBFJ177
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:1.5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):300 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSR56
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
我要买
Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:50mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):25 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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