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制造商 封装/外壳 供应商器件封装 系列 fet 类型 电压 - 击穿(v(br)gss) 漏源极电压(vdss) 不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss) 漏极电流(id) - 最大值 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关) 电阻 - rds(开) 不同 vds 时的输入电容(ciss) 安装类型 包装
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共 649 款产品满足条件
图片 型号 制造商 封装/外壳 供应商器件封装 描述参数
alt TF252-5-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 3-SMD,扁平引线 3-USFP
描述:JFET N-CH 1MA 30MW USFP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 2V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):100mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):3.1pF @ 2V *电阻 - rds(开):3.1pF @ 2V *功率 - 最大值:30mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:3-SMD,扁平引线 供应商器件封装:3-USFP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
MMBF4393LT3G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3(TO-236)
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V *电阻 - rds(开):100 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK3796-2-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-75,SOT-416 SMCP
描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):600µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V *电阻 - rds(开):200 Ohms *功率 - 最大值:100mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-75,SOT-416 供应商器件封装:SMCP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK3666-4-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2.5mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:10mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V *电阻 - rds(开):200 Ohms *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0
2SK545-11D-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):60µA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:1mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.5V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):1.7pF @ 10V *电阻 - rds(开):1.7pF @ 10V *功率 - 最大值:125mW 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
PMBFJ308,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):25V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):12mA @ 10V 漏极电流(id) - 最大值:12mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 10V *电阻 - rds(开):50 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
MMBFJ175LT3G
10+: 1.0758 100+: 1.0566 1000+: 1.0469 3000+: 1.0181
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):125 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
NSVJ3557SA3T1G
带卷(TR)
10+: 0.2531 100+: 0.2486 1000+: 0.2463 3000+: 0.2396
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59-3/CP3
描述:MOSFET N-CH 15V 32MA SC59 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):15V *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100¦Ì 不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SC-59-3/CP3 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
2SK2394-6-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V *电阻 - rds(开):10pF @ 5V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
2SK2394-7-TB-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3-CP
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):15V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):16mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V *电阻 - rds(开):10pF @ 5V *功率 - 最大值:200mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMMBFJ177LT1G
带卷(TR)
10+: 0.2658 100+: 0.2610 1000+: 0.2587 3000+: 0.2515
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS JFET P-CH SOT23 *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):300 欧姆 *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SMMBFJ175LT1G
10+: 2.1642 100+: 2.1255 1000+: 2.1062 3000+: 2.0482
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:TRANS JFET P-CH 30V SOT23 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS) *电阻 - rds(开):125 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
BSR57,215
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Nexperia USA Inc. TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23(TO-236AB)
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):40V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:20mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ .5nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):- *电阻 - rds(开):40 Ohms *功率 - 最大值:250mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB) 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SMMBF4393LT1G
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23-3
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:30mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V(VGS) *电阻 - rds(开):100 Ohms *功率 - 最大值:225mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
alt MCH5908H-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor 5-SMD,扁平引线 5-MCPH
描述:JFET 2N-CH 0.3W MCPH5 *fet 类型:2 N-通道(双) *电压 - 击穿(v(br)gss):2 N-通道(双) *漏源极电压(vdss):2 N-通道(双) *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):16mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):10.5pF @ 5V *电阻 - rds(开):10.5pF @ 5V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:5-SMD,扁平引线 供应商器件封装:5-MCPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CPH6904-TL-E
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-74,SOT-457 6-CPH
描述:JFET 2N-CH 0.7W CPH6 *fet 类型:2 N-通道(双) *电压 - 击穿(v(br)gss):2 N-通道(双) *漏源极电压(vdss):2 N-通道(双) *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 100µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 5V *电阻 - rds(开):6pF @ 5V *功率 - 最大值:700mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-74,SOT-457 供应商器件封装:6-CPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SST5486-T1-E3
带卷(TR)
10+: 0.4176 100+: 0.4102 1000+: 0.4065 3000+: 0.3953
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Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET P-CH 35V 8MA SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SST204-E3
带卷(TR)
10+: 0.4303 100+: 0.4226 1000+: 0.4188 3000+: 0.4073
我要买
Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):40V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 15 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4.5pF @ 15V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SST204-T1-E3
带卷(TR)
10+: 0.4430 100+: 0.4351 1000+: 0.4311 3000+: 0.4192
我要买
Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 15 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4.5pF @ 15V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SST5484-T1-E3
带卷(TR)
10+: 0.4430 100+: 0.4351 1000+: 0.4311 3000+: 0.4192
我要买
Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET P-CH 35V 1MA SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SST5485-E3
带卷(TR)
10+: 0.4430 100+: 0.4351 1000+: 0.4311 3000+: 0.4192
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Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET P-CH 35V 4MA SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
alt MCH3914-8-TL-H
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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ON Semiconductor SC-70,SOT-323 3-MCPH
描述:JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道 *漏源极电压(vdss):N 通道 *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 5V 漏极电流(id) - 最大值:50mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 10µA 不同 vds 时的输入电容(ciss):4.9pF @ 5V *电阻 - rds(开):4.9pF @ 5V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:3-MCPH 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
CMPF5485 TR
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Central Semiconductor Corp TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET N-CH 25V 10MA SOT23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):25V *漏源极电压(vdss):25V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:30mA 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V *电阻 - rds(开):5pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
SST4416-E3
带卷(TR)
10+: 0.5189 100+: 0.5096 1000+: 0.5050 3000+: 0.4911
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Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):- *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):2.2pF @ 15V *电阻 - rds(开):- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷(TR) 数量: 每包的数量:1
SST4416-T1-E3
10+:      100+:      1000+:      3000+:     
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Vishay TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
描述:JFET N-CH 36V 5MA SOT-23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿(v(br)gss):30V *漏源极电压(vdss):30V *不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V 漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容(ciss):2.2pF @ 15V *电阻 - rds(开):2.2pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1
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