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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
TF252-5-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 3-SMD,扁平引线 | 3-USFP |
描述:JFET N-CH 1MA 30MW USFP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):210µA @ 2V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):100mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3.1pF @ 2V
*电阻 - rds(开):3.1pF @ 2V
*功率 - 最大值:30mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:3-USFP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
MMBF4393LT3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3(TO-236) |
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V
*电阻 - rds(开):100 Ohms
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK3796-2-TL-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SC-75,SOT-416 | SMCP |
描述:JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):600µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:10mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V
*电阻 - rds(开):200 Ohms
*功率 - 最大值:100mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-75,SOT-416
供应商器件封装:SMCP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK3666-4-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):2.5mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:10mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):180mV @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 10V
*电阻 - rds(开):200 Ohms
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:0
|
|
2SK545-11D-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 1MA 125MW CP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):60µA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:1mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1.5V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):1.7pF @ 10V
*电阻 - rds(开):1.7pF @ 10V
*功率 - 最大值:125mW
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
PMBFJ308,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):25V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):12mA @ 10V
漏极电流(id) - 最大值:12mA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 10V
*电阻 - rds(开):50 Ohms
*功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MMBFJ175LT3G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):125 Ohms
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
NSVJ3557SA3T1G
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SC-59-3/CP3 |
描述:MOSFET N-CH 15V 32MA SC59
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):15V
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100¦Ì
不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SC-59-3/CP3
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK2394-6-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):10mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V
*电阻 - rds(开):10pF @ 5V
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2SK2394-7-TB-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3-CP |
描述:JFET N-CH 50MA 200MW CP
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):15V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):16mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):10pF @ 5V
*电阻 - rds(开):10pF @ 5V
*功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SMMBFJ177LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:TRANS JFET P-CH SOT23
*fet 类型:P 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1.5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):800mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):300 欧姆
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SMMBFJ175LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:TRANS JFET P-CH 30V SOT23
*fet 类型:P 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):7mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:7mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):11pF @ 10V(VGS)
*电阻 - rds(开):125 Ohms
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
BSR57,215
Datasheet 规格书
ROHS
|
Nexperia USA Inc. | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23(TO-236AB) |
描述:JFET N-CH 40V 250MW SOT23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:20mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ .5nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):40 Ohms
*功率 - 最大值:250mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23(TO-236AB)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SMMBF4393LT1G
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23-3 |
描述:JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):30mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:30mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 15V(VGS)
*电阻 - rds(开):100 Ohms
*功率 - 最大值:225mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
MCH5908H-TL-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | 5-SMD,扁平引线 | 5-MCPH |
描述:JFET 2N-CH 0.3W MCPH5
*fet 类型:2 N-通道(双)
*电压 - 击穿(v(br)gss):2 N-通道(双)
*漏源极电压(vdss):2 N-通道(双)
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):16mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):10.5pF @ 5V
*电阻 - rds(开):10.5pF @ 5V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:5-SMD,扁平引线
供应商器件封装:5-MCPH
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CPH6904-TL-E
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SC-74,SOT-457 | 6-CPH |
描述:JFET 2N-CH 0.7W CPH6
*fet 类型:2 N-通道(双)
*电压 - 击穿(v(br)gss):2 N-通道(双)
*漏源极电压(vdss):2 N-通道(双)
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 100µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):6pF @ 5V
*电阻 - rds(开):6pF @ 5V
*功率 - 最大值:700mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-CPH
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SST5486-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET P-CH 35V 8MA SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):8mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST204-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 15
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4.5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST204-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 25V 0.35W SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 15
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4.5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST5484-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET P-CH 35V 1MA SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):1mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST5485-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET P-CH 35V 4MA SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
MCH3914-8-TL-H
Datasheet 规格书
ROHS
|
ON Semiconductor | SC-70,SOT-323 | 3-MCPH |
描述:JFET N-CH 50MA 300MW MCPH3
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):N 通道
*漏源极电压(vdss):N 通道
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 5V
漏极电流(id) - 最大值:50mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 10µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4.9pF @ 5V
*电阻 - rds(开):4.9pF @ 5V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:3-MCPH
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CMPF5485 TR
Datasheet 规格书
ROHS
|
Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 25V 10MA SOT23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):25V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:30mA
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):5pF @ 15V
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SST4416-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):2.2pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST4416-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 36V 5MA SOT-23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):30V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):2.2pF @ 15V
*电阻 - rds(开):2.2pF @ 15V
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
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