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图片 | 型号 | 制造商 | 封装/外壳 | 供应商器件封装 | 描述参数 |
---|---|---|---|---|---|
SST175-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TO-236(SOT-23) |
描述:MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3
*fet 类型:-
*电压 - 击穿(v(br)gss):-
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):-
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):-
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:TO-236(SOT-23)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
SST201-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 25V .7MA SOT-23
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200µA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:200µA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4.5pF @ 15V
*电阻 - rds(开):4.5pF @ 15V
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
CMPF4391 TR
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Central Semiconductor Corp | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):40V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):50mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):4V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
*电阻 - rds(开):30 欧姆
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST174-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TO-236 |
描述:JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
*fet 类型:P 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):20pF @ 0V
*电阻 - rds(开):85 欧姆
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:TO-236
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST174-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | SOT-23 |
描述:JFET N-CH 30V 20MA SOT-23
*fet 类型:P 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):20mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):5V @ 10nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):20pF @ 0V
*电阻 - rds(开):85 欧姆
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SOT-23
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
SST4119-T1-E3
Datasheet 规格书
ROHS
带卷(TR)
|
Vishay | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | TO-236 |
描述:JFET N-CH 70V 200UA SOT-23
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 10
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:350mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:TO-236
标签:
包装:带卷(TR)
数量:
每包的数量:1
|
|
PF5102
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 40V 0.625W TO92
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):4mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):700mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):16pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
J106
Datasheet 规格书
ROHS
|
Fairchild Semiconductor | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) | TO-92-3 |
描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25V
漏极电流(id) - 最大值:200mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 1µA
不同 vds 时的输入电容(ciss):-
*电阻 - rds(开):6 Ohms
*功率 - 最大值:625mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
供应商器件封装:TO-92-3
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4392-E3
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-206AA(TO-18) |
描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):25mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
*电阻 - rds(开):60 欧姆
*功率 - 最大值:1.8W
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4393-E3
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-206AA(TO-18) |
描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 20V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):500mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):14pF @ 20V
*电阻 - rds(开):100 欧姆
*功率 - 最大值:1.8W
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4416A
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):35V
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:5mA @ 15V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2.5V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 15V
*电阻 - rds(开):4pF @ 15V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4416A-E3
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):35V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2.5V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4118A
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40V
漏极电流(id) - 最大值:80µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):3pF @ 10V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4118A-E3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40V
漏极电流(id) - 最大值:80µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):1V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):3pF @ 10V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4119A
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40V
漏极电流(id) - 最大值:200µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):3pF @ 10V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4119A-E3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40V
漏极电流(id) - 最大值:200µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):2V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):3pF @ 10V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4416
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4416-E3
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):30V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):5mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):4pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4338
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-206AA(TO-18) |
描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 15
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4338-E3
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-206AA(TO-18) |
描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):200¦ÌA @ 15
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):300mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4339
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-206AA(TO-18) |
描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):500¦ÌA @ 15
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4339-E3
Datasheet 规格书
ROHS
散装
|
Vishay | TO-206AA,TO-18-3 金属罐 | TO-206AA(TO-18) |
描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):50V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):500¦ÌA @ 15
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 100nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):7pF @ 15V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装:TO-206AA(TO-18)
标签:
包装:散装
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4117A
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40V
漏极电流(id) - 最大值:30µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):3pF @ 10V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N4117A-E3
Datasheet 规格书
ROHS
|
Vishay | TO-206AF,TO-72-4 金属罐 | TO-206AF(TO-72) |
描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF
*fet 类型:N 通道
*电压 - 击穿(v(br)gss):40V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):40V
漏极电流(id) - 最大值:30µA @ 10V
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):600mV @ 1nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):3pF @ 10V
*电阻 - rds(开):3pF @ 10V
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AF,TO-72-4 金属罐
供应商器件封装:TO-206AF(TO-72)
标签:
包装:-
数量:
每包的数量:1
|
|
2N5433
Datasheet 规格书
ROHS
管件
|
Vishay | TO-206AC,TO-52-3,金属罐 | TO-206AC(TO-52) |
描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52
*fet 类型:N 沟道
*电压 - 击穿(v(br)gss):25V
*漏源极电压(vdss):-
*不同 vds(vgs=0)时的电流 - 漏极(idss):100mA @ 15V
漏极电流(id) - 最大值:-
不同 id 时的电压 - 截止(vgs 关):3V @ 3nA
不同 vds 时的输入电容(ciss):30pF @ 0V
*电阻 - rds(开):-
*功率 - 最大值:300mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-206AC,TO-52-3,金属罐
供应商器件封装:TO-206AC(TO-52)
标签:
包装:管件
数量:
每包的数量:1
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