描述:MOSFET P-CH JFET 30V SOT23-3 *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236（SOT-23） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V .7MA SOT-23 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200µA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:200µA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4.5pF @ 15V *电阻 - rds（开）:4.5pF @ 15V *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 50MA SOT23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:40V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 欧姆 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 0V *电阻 - rds（开）:85 欧姆 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 20MA SOT-23 *fet 类型:P 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:20mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:5V @ 10nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:20pF @ 0V *电阻 - rds（开）:85 欧姆 *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:SOT-23 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 70V 200UA SOT-23 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200¦ÌA @ 10 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:350mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:TO-236 标签: 包装:带卷（TR） 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 40V 0.625W TO92 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:4mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:700mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:16pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 625MW TO92 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25V 漏极电流（id） - 最大值:200mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1µA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:6 Ohms *功率 - 最大值:625mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 供应商器件封装:TO-92-3 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 35V 0.3W TO-72 *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:35V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:5mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:4pF @ 15V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:80µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:200µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V 200UA TO-206AF *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:200µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200¦ÌA @ 15 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 50V 600UA TO-206AA *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200¦ÌA @ 15 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:300mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:500¦ÌA @ 15 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:50V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:500¦ÌA @ 15 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 100nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:7pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V 30UA TO-206AF *fet 类型:N 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:40V 漏极电流（id） - 最大值:30µA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:600mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1