描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 30V TO-206AA *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 30V TO-206AA *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:500mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 0V *电阻 - rds（开）:3 欧姆 *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:500mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 0V *电阻 - rds（开）:3 欧姆 *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 0V *电阻 - rds（开）:7 欧姆 *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 30V 0.5W TO-206AC *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:200mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1.5V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:160pF @ 0V *电阻 - rds（开）:7 欧姆 *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 25V TO-52 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:24mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 25V TO-78 *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 供应商器件封装:TO-78-6 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET DUAL P-CH 25V TO-78 *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:12mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 供应商器件封装:TO-78-6 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET DUAL P-CH 25V TO-78 *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:24mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:5pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-78-6 金属罐 供应商器件封装:TO-78-6 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET DUAL P-CH 25V TO-71 *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:- 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET DUAL P-CH 25V TO-71 *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:- 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET 2N-CH 25V TO-71 *fet 类型:2 个 N 沟道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:- 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET 2N-CH 25V TO-71 *fet 类型:2 N-通道（双） *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:25V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:6mA @ 10V 漏极电流（id） - 最大值:6mA @ 10V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:1V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:3pF @ 10V *电阻 - rds（开）:3pF @ 10V *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-71-6 供应商器件封装:- 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:35V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2.5V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:4pF @ 15V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-50°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AF，TO-72-4 金属罐 供应商器件封装:TO-206AF（TO-72） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:JFET N-CH 25V 0.3W TO-52 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:25V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:100mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 3nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:30pF @ 0V *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:300mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AC，TO-52-3，金属罐 供应商器件封装:TO-206AC（TO-52） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:50mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:4V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:30 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:25mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:2V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:60 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 *fet 类型:N 沟道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:40V *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:5mA @ 20V 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:500mV @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:14pF @ 20V *电阻 - rds（开）:100 欧姆 *功率 - 最大值:1.8W 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:散装 数量: 每包的数量:1

描述:IC JUNCTION FET P-CH TO-18 *fet 类型:P 通道 *电压 - 击穿（v（br）gss）:30V *漏源极电压（vdss）:30V *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:15mA @ 15V 漏极电流（id） - 最大值:15mA @ 15V 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:3V @ 1nA 不同 vds 时的输入电容（ciss）:25pF @ 15V *电阻 - rds（开）:100 Ohms *功率 - 最大值:500mW 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:- 数量: 每包的数量:0

描述:JFET P-CH 30V TO-18 *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1

描述:JFET P-CH 30V TO-18 *fet 类型:- *电压 - 击穿（v（br）gss）:- *漏源极电压（vdss）:- *不同 vds（vgs=0）时的电流 - 漏极（idss）:- 漏极电流（id） - 最大值:- 不同 id 时的电压 - 截止（vgs 关）:- 不同 vds 时的输入电容（ciss）:- *电阻 - rds（开）:- *功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-206AA，TO-18-3 金属罐 供应商器件封装:TO-206AA（TO-18） 标签: 包装:管件 数量: 每包的数量:1